User:Ppiipuu - Revision history

Ppiipuu at 19:32, 30 October 2013

2013-10-30T19:32:02Z

← Older revision		Revision as of 22:32, 30 October 2013
Line 5:		Line 5:
	Rühm: DK12		Rühm: DK12

	Esitamise kuupäev:		Esitamise kuupäev: 30.10.2013

	=== Essee ===		=== Essee ===

Ppiipuu at 19:27, 30 October 2013

2013-10-30T19:27:27Z

← Older revision		Revision as of 22:27, 30 October 2013
Line 11:		Line 11:
	Allolev essee on kirjutatud peamiselt IEEE Spectrumis ilmunud uudise "[http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/lets-make-the-entire-chip-from-graphene Let's Make the Entire Chip from Graphene]" põhjal.		Allolev essee on kirjutatud peamiselt IEEE Spectrumis ilmunud uudise "[http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/lets-make-the-entire-chip-from-graphene Let's Make the Entire Chip from Graphene]" põhjal.

	*		----

	Transistoride miniaturiseerimisega seotud probleemid on sundinud otsima alternatiive ränil ja vasel baseeruvatele lülitustele. Näiteks International Technology Roadmap for Semiconductors’i [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/nanotechnology/can-carbon-put-copper-down-for-the-count ennustuse] järgi jäävad 2015 aastaks ränipindu kiipide „kaabeldusega“ ühendavad vasest viigud ajale jalgu. Ühelt poolt muutub detailide vähenevate möötmete tõttu vasest ühenduste tegemine üha keerulisemaks ja nende [http://en.wikipedia.org/wiki/Contact_resistance kontaktitakistus] üha suuremaks. Sellise olukorra vältimiseks ja [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/devices/the-status-of-moores-law-its-complicated Moore'i seaduse elushoidmiseks] laiemalt, on vaja alternatiivseid lahendusi.		Transistoride miniaturiseerimisega seotud probleemid on sundinud otsima alternatiive ränil ja vasel baseeruvatele lülitustele. Näiteks International Technology Roadmap for Semiconductors’i [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/nanotechnology/can-carbon-put-copper-down-for-the-count ennustuse] järgi jäävad 2015 aastaks ränipindu kiipide „kaabeldusega“ ühendavad vasest viigud ajale jalgu. Ühelt poolt muutub detailide vähenevate möötmete tõttu vasest ühenduste tegemine üha keerulisemaks ja nende [http://en.wikipedia.org/wiki/Contact_resistance kontaktitakistus] üha suuremaks. Sellise olukorra vältimiseks ja [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/devices/the-status-of-moores-law-its-complicated Moore'i seaduse elushoidmiseks] laiemalt, on vaja alternatiivseid lahendusi.

Ppiipuu at 19:23, 30 October 2013

2013-10-30T19:23:50Z

← Older revision		Revision as of 22:23, 30 October 2013
Line 40:		Line 40:
	X = 27 ja Y = 24.		X = 27 ja Y = 24.

	Vastavalt Eesti Infotehnoloogia Kolledži nõukogu otsusele (protokoll nr. 3C-1/13-2, 27.02.2013) tuleb 2013/2014 õppeaastal õppekulud osaliselt hüvitada juhul, kui semestris kogutakse vähem kui 27 EAPd, ühe EAP hind on 50€. Seega esitatakse arve teise semestri eest summas 150€.		Vastavalt Eesti Infotehnoloogia Kolledži nõukogu [http://www.itcollege.ee/sisseastujale/oppemaks/ otsusele] (protokoll nr. 3C-1/13-2, 27.02.2013) tuleb 2013/2014 õppeaastal õppekulud osaliselt hüvitada juhul, kui semestris kogutakse vähem kui 27 EAPd, ühe EAP hind on 50€. Seega esitatakse arve teise semestri eest summas 150€.

			[[Category:Erialatutvustus 2013 kaugõpe]]

Ppiipuu at 19:20, 30 October 2013

2013-10-30T19:20:55Z

← Older revision		Revision as of 22:20, 30 October 2013
Line 35:		Line 35:
	==== Küsimus 3 ====		==== Küsimus 3 ====

	Õppekorralduse eeskirja punkti 6.1.3 järgi on esimesel õppeaastal võimalik akadeemilisele puhkusele minna kas tervislikel põhjustel, Eesti kaitsejõududesse teenima asumiseks või lapse hooldamiseks. Muudel põhjustel esimesel õppeaastal akadeemilisele puhkusele minna ei saa. Puhkusele minekuks tuleb esitada avaldus rektori nimele ja see vormistatakse rektori käskkirjaga (punkt 6.1.1). Akadeemilist puhkust on võimalik võtta üheks või rohkemaks semestriks. Juhul kui õpilane ei ole puhkuse lõpu kuupäevaks esitanud avaldust selle lõpetamiseks, siis lõpetatakse see automaatselt akadeemilise puhkuse viimasele semestrile järgneva semestri punase joone päevaks (6.1.4). Akadeemilise puhkuse ajal on üliõpilasel võimalik täita õppekava juhul kui ta on kas keskmise, raske või sügava puudega, on alla 3-aastase lapse või puudega lapse vanem või eestkostja või viibib akadeemilisel seoses kaitseväeteenistuse läbimisega (punkt 6.1.5).		[http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri Õppekorralduse eeskirja] punkti [http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/#akpuhk 6.1.3] järgi on esimesel õppeaastal võimalik akadeemilisele puhkusele minna kas tervislikel põhjustel, Eesti kaitsejõududesse teenima asumiseks või lapse hooldamiseks. Muudel põhjustel esimesel õppeaastal akadeemilisele puhkusele minna ei saa. Puhkusele minekuks tuleb esitada avaldus rektori nimele ja see vormistatakse rektori käskkirjaga (punkt 6.1.1). Akadeemilist puhkust on võimalik võtta üheks või rohkemaks semestriks. Juhul kui õpilane ei ole puhkuse lõpu kuupäevaks esitanud avaldust selle lõpetamiseks, siis lõpetatakse see automaatselt akadeemilise puhkuse viimasele semestrile järgneva semestri punase joone päevaks (6.1.4). Akadeemilise puhkuse ajal on üliõpilasel võimalik täita õppekava juhul kui ta on kas keskmise, raske või sügava puudega, on alla 3-aastase lapse või puudega lapse vanem või eestkostja või viibib akadeemilisel seoses kaitseväeteenistuse läbimisega (punkt 6.1.5). Eksami/arvestuse sooritamiseks akadeemilise puhkuse ajal tuleb avaldus esitada õppeosakonda ([http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/#eksamitearvkorr punkt 5.2.8]).
	==== Ülesanne ====		==== Ülesanne ====

			X = 27 ja Y = 24.

			Vastavalt Eesti Infotehnoloogia Kolledži nõukogu otsusele (protokoll nr. 3C-1/13-2, 27.02.2013) tuleb 2013/2014 õppeaastal õppekulud osaliselt hüvitada juhul, kui semestris kogutakse vähem kui 27 EAPd, ühe EAP hind on 50€. Seega esitatakse arve teise semestri eest summas 150€.

Ppiipuu at 18:52, 30 October 2013

2013-10-30T18:52:24Z

← Older revision		Revision as of 21:52, 30 October 2013
Line 35:		Line 35:
	==== Küsimus 3 ====		==== Küsimus 3 ====

			Õppekorralduse eeskirja punkti 6.1.3 järgi on esimesel õppeaastal võimalik akadeemilisele puhkusele minna kas tervislikel põhjustel, Eesti kaitsejõududesse teenima asumiseks või lapse hooldamiseks. Muudel põhjustel esimesel õppeaastal akadeemilisele puhkusele minna ei saa. Puhkusele minekuks tuleb esitada avaldus rektori nimele ja see vormistatakse rektori käskkirjaga (punkt 6.1.1). Akadeemilist puhkust on võimalik võtta üheks või rohkemaks semestriks. Juhul kui õpilane ei ole puhkuse lõpu kuupäevaks esitanud avaldust selle lõpetamiseks, siis lõpetatakse see automaatselt akadeemilise puhkuse viimasele semestrile järgneva semestri punase joone päevaks (6.1.4). Akadeemilise puhkuse ajal on üliõpilasel võimalik täita õppekava juhul kui ta on kas keskmise, raske või sügava puudega, on alla 3-aastase lapse või puudega lapse vanem või eestkostja või viibib akadeemilisel seoses kaitseväeteenistuse läbimisega (punkt 6.1.5).
	==== Ülesanne ====		==== Ülesanne ====

Ppiipuu at 18:35, 30 October 2013

2013-10-30T18:35:19Z

← Older revision		Revision as of 21:35, 30 October 2013
Line 13:		Line 13:
	*		*

	Transistoride miniaturiseerimisega seotud probleemid on sundinud otsima alternatiive ränil ja vasel baseeruvatele lülitustele. Näiteks International Technology Roadmap for Semiconductors’i [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/nanotechnology/can-carbon-put-copper-down-for-the-count ennustuse] järgi jäävad 2015 aastaks ränipindu kiipide „kaabeldusega“ ühendavad vasest viigud ajale jalgu. Ühelt poolt muutub detailide vähenevate möötmete tõttu vasest ühenduste tegemine üha keerulisemaks ja nende [http://en.wikipedia.org/wiki/Contact_resistance kontaktitakistus] üha suuremaks. Sellise olukorra vältimiseks on vaja alternatiivseid lahendusi.		Transistoride miniaturiseerimisega seotud probleemid on sundinud otsima alternatiive ränil ja vasel baseeruvatele lülitustele. Näiteks International Technology Roadmap for Semiconductors’i [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/nanotechnology/can-carbon-put-copper-down-for-the-count ennustuse] järgi jäävad 2015 aastaks ränipindu kiipide „kaabeldusega“ ühendavad vasest viigud ajale jalgu. Ühelt poolt muutub detailide vähenevate möötmete tõttu vasest ühenduste tegemine üha keerulisemaks ja nende [http://en.wikipedia.org/wiki/Contact_resistance kontaktitakistus] üha suuremaks. Sellise olukorra vältimiseks ja [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/devices/the-status-of-moores-law-its-complicated Moore'i seaduse elushoidmiseks] laiemalt, on vaja alternatiivseid lahendusi.

	Üks võimalikke räni asendavaid materjale on [http://en.wikipedia.org/wiki/Graphene grafeen]. Paar aastat tagasi näitas IBM, et [http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/ibm-takes-graphene-one-step-further-with-the-first-ic-built-from-it mikrokiipi on võimalik valmistada osaliselt grafeenist]. Nende disaini järgi loodi grafeenist väljatransistor ja ülejäänud ühenduste komponendid, mis omakorda asetati [http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide ränikarbiidist] vahvlile. Kuigi grafeeni kasutamine mikrokiibis on iseenesest uudne, järgis nende disain siiski väljakujunenud tava kasutada kiipides eri materjale, lisaks pooljuhtelementidele ka mingit täisjuhti, näiteks vaske.		Üks võimalikke räni asendavaid materjale on [http://en.wikipedia.org/wiki/Graphene grafeen]. Paar aastat tagasi näitas IBM, et [http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/ibm-takes-graphene-one-step-further-with-the-first-ic-built-from-it mikrokiipi on võimalik valmistada osaliselt grafeenist]. Nende disaini järgi loodi grafeenist väljatransistor ja ülejäänud ühenduste komponendid, mis omakorda asetati [http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide ränikarbiidist] vahvlile. Kuigi grafeeni kasutamine mikrokiibis on iseenesest uudne, järgis nende disain siiski väljakujunenud tava kasutada kiipides eri materjale, lisaks pooljuhtelementidele ka mingit täisjuhti, näiteks vaske.
Line 22:		Line 22:
	Professorite H.-S Philip Wongi ja Subhasish Mitra juhtimisel loodud [: http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/first-computer-made-from-carbon-nanotubes-debuts masin] on kaasaegsete arvutitega võrreldes üsnagi primitiivne. See koosneb 178st CNTdel baseeruvast transistorist, protsessoril on ühebitine aadressiruum ja see töötab sagedusel 1 kHz. Loodud arvuti võimaldab teostada kahtekümmet operatsiooni [http://en.wikipedia.org/wiki/MIPS_architecture MIPSi] käsustikust ja sellel on võimeline jooksma opsüsteem. Kõikide operatsioonide tegemiseks kasutab see protsessor ühte tehet.		Professorite H.-S Philip Wongi ja Subhasish Mitra juhtimisel loodud [: http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/first-computer-made-from-carbon-nanotubes-debuts masin] on kaasaegsete arvutitega võrreldes üsnagi primitiivne. See koosneb 178st CNTdel baseeruvast transistorist, protsessoril on ühebitine aadressiruum ja see töötab sagedusel 1 kHz. Loodud arvuti võimaldab teostada kahtekümmet operatsiooni [http://en.wikipedia.org/wiki/MIPS_architecture MIPSi] käsustikust ja sellel on võimeline jooksma opsüsteem. Kõikide operatsioonide tegemiseks kasutab see protsessor ühte tehet.

	Protsessori valmistamisel kasutati optilist litograafiat lahutusega 1µm, samal ajal kui ränil baseeruvate transistoride mõõtmed jäävad tänapäeval kuni 10nm kanti. Nanotorude tihedus ~~toorikkristallil~~ on samuti üsnagi madal, umbes 5 tükki mikromeetri kohta. Muutmaks tootmisprotsessi kuluefektiivseks ja ~~kasvatamsks~~ lülituste kiirust, peaks nanotorude tihedust suurendama 20 .. 40 korda.		Protsessori valmistamisel kasutati optilist litograafiat lahutusega 1µm, samal ajal kui ränil baseeruvate transistoride mõõtmed jäävad tänapäeval kuni 10nm kanti. Nanotorude tihedus toorikul on samuti üsnagi madal, umbes 5 tükki mikromeetri kohta. Muutmaks tootmisprotsessi kuluefektiivseks ja kasvatamaks lülituste kiirust, peaks nanotorude tihedust suurendama 20 .. 40 korda.

	Tootmise alastest probleemidest ja lülituste algelisusest hoolimata on CNTdel põhinev arvuti oluline samm ränile pooljuhtlülitustes asendaja leidmisel. Oodatavalt võiks CNTl baseeruvad protsessorid näidata suurusjärgu võrra paremat energiaefektiivsust kui praegused, ränid põhinevad lülitused.		Tootmise alastest probleemidest ja lülituste algelisusest hoolimata on CNTdel põhinev arvuti oluline samm ränile pooljuhtlülitustes asendaja leidmisel. Oodatavalt võiks CNTl baseeruvad protsessorid näidata suurusjärgu võrra paremat energiaefektiivsust kui praegused, ränid põhinevad lülitused.

Line 28:		Line 29:

	=== Õpingukorralduse küsimused ===		=== Õpingukorralduse küsimused ===
			==== Küsimus B ====

			[http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/ Õppekorralduse eeskirja] punktist [http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/#arv 5.4.4] johtuvalt on võimalik arvestust järele teha kuni ülejärgmise semestri punase joone päevani. Kordusarvestuste tähtajad määrab ainet õpetav õppejõud kooskõlas õppeosakonnas koostatud soovitusliku ajakavaga. Õppekorralduse eeskirja punkti [http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/#eksamitearvkorr 5.2.8.1] kohaselt peab end kordusarvestusele registreerima ÕISis. Riigifinantseeritaval (RF) õppekohal on kordussooritused tasuta, õppekorralduse eeskirja punkti [http://www.itcollege.ee/tudengile/eeskirjad-ja-juhendid/oppekorraldus-eeskiri/#eksamitearvkorr 5.2.7] järgi on OF õppekohal kordussooritused tasulised. Tasu suurus kehtestatakse rektori käskkirjaga.

			==== Küsimus 3 ====

			==== Ülesanne ====

Ppiipuu: Created page with "== Erialatutvustuse aine arvestustöö == Autor: Priit Piipuu Rühm: DK12 Esitamise kuupäev: === Essee === Allolev essee on kirjutatud peamiselt IEEE Spectrumis ilmunud uud…"

2013-10-30T17:54:01Z

Created page with "== Erialatutvustuse aine arvestustöö == Autor: Priit Piipuu Rühm: DK12 Esitamise kuupäev: === Essee === Allolev essee on kirjutatud peamiselt IEEE Spectrumis ilmunud uud…"

New page

== Erialatutvustuse aine arvestustöö ==

Autor: Priit Piipuu

Rühm: DK12

Esitamise kuupäev:

=== Essee ===

Allolev essee on kirjutatud peamiselt IEEE Spectrumis ilmunud uudise "[http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/lets-make-the-entire-chip-from-graphene Let's Make the Entire Chip from Graphene]" põhjal.

*

Transistoride miniaturiseerimisega seotud probleemid on sundinud otsima alternatiive ränil ja vasel baseeruvatele lülitustele. Näiteks International Technology Roadmap for Semiconductors’i [http://spectrum.ieee.org/semiconductors/nanotechnology/can-carbon-put-copper-down-for-the-count ennustuse] järgi jäävad 2015 aastaks ränipindu kiipide „kaabeldusega“ ühendavad vasest viigud ajale jalgu. Ühelt poolt muutub detailide vähenevate möötmete tõttu vasest ühenduste tegemine üha keerulisemaks ja nende [http://en.wikipedia.org/wiki/Contact_resistance kontaktitakistus] üha suuremaks. Sellise olukorra vältimiseks on vaja alternatiivseid lahendusi.

Üks võimalikke räni asendavaid materjale on [http://en.wikipedia.org/wiki/Graphene grafeen]. Paar aastat tagasi näitas IBM, et [http://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/nanotechnology/ibm-takes-graphene-one-step-further-with-the-first-ic-built-from-it mikrokiipi on võimalik valmistada osaliselt grafeenist]. Nende disaini järgi loodi grafeenist väljatransistor ja ülejäänud ühenduste komponendid, mis omakorda asetati [http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide ränikarbiidist] vahvlile. Kuigi grafeeni kasutamine mikrokiibis on iseenesest uudne, järgis nende disain siiski väljakujunenud tava kasutada kiipides eri materjale, lisaks pooljuhtelementidele ka mingit täisjuhti, näiteks vaske.

Peale mõningast vaikust jõudsid tänavu California ülikooli Santa Barbaras teadlased järgmise olulise tulemuseni: Ajakirjas „Applied Physics Letters“ ilmunud [http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/8/10.1063/1.4818462 artiklis] näitasid nad, et seadmed ja nendevahelised ühendused on võimalik ehitada samast materjalist, grafeenist. Eriti oluline on aga artiklis esitatud väide, et ainult grafeenist koosnevad elektroonikalülitused on võimelised ületama 22 nm [http://en.wikipedia.org/wiki/Complementary_metal%E2%80%93oxide%E2%80%93semiconductor komplementaarsete metalloksiid-pooljuhtide (CMOS)] staatilist jõudlust. Ainult grafeeni kasutamine kiibis muudab selle valmistamise oluliselt lihtsamaks ja pakub iseenesest uuendusliku lahenduse kontaktitakistuse probleemile.

Kommentaariks niipalju, et grafeen ei ole muidugi ainus viis süsiniku mikroelektroonikas kasutamiseks. Teine populaarne imematerjal on [http://en.wikipedia.org/wiki/Carbon_nanotube süsiniknanotorud (CNT)] ja ka siin on olnud viimasel ajal huvitavaid arenguid. Nimelt jõuti Stanfordi ülikoolis hiljuti esimese süsinikust protsessoriga digitaalarvutini.
Professorite H.-S Philip Wongi ja Subhasish Mitra juhtimisel loodud [: http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/first-computer-made-from-carbon-nanotubes-debuts masin] on kaasaegsete arvutitega võrreldes üsnagi primitiivne. See koosneb 178st CNTdel baseeruvast transistorist, protsessoril on ühebitine aadressiruum ja see töötab sagedusel 1 kHz. Loodud arvuti võimaldab teostada kahtekümmet operatsiooni [http://en.wikipedia.org/wiki/MIPS_architecture MIPSi] käsustikust ja sellel on võimeline jooksma opsüsteem. Kõikide operatsioonide tegemiseks kasutab see protsessor ühte tehet.

Protsessori valmistamisel kasutati optilist litograafiat lahutusega 1µm, samal ajal kui ränil baseeruvate transistoride mõõtmed jäävad tänapäeval kuni 10nm kanti. Nanotorude tihedus toorikkristallil on samuti üsnagi madal, umbes 5 tükki mikromeetri kohta. Muutmaks tootmisprotsessi kuluefektiivseks ja kasvatamsks lülituste kiirust, peaks nanotorude tihedust suurendama 20 .. 40 korda.
Tootmise alastest probleemidest ja lülituste algelisusest hoolimata on CNTdel põhinev arvuti oluline samm ränile pooljuhtlülitustes asendaja leidmisel. Oodatavalt võiks CNTl baseeruvad protsessorid näidata suurusjärgu võrra paremat energiaefektiivsust kui praegused, ränid põhinevad lülitused.

Kas süsinikul baseeruvatest mikrokiipidest ka tegelikult asja saab, näitab aeg, ehk siis järgmine mikrokiipide põlvkond või paar. Võib-olla läheb süsinikuga nii, nagu [http://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_arsenide#GaAs_advantages galliumarseniidiga], mis on teatud ringkondades jätkuvalt elektroonikatööstuse tulevik ja seda juba viimased nelikümmend aastat.

=== Õpingukorralduse küsimused ===